Японская компания Rapidus объявила о начале прототипного производства микросхем с использованием передовой технологии Gate All Around (GAA) с нормой техпроцесса 2 нанометра на новом заводе IIM-1. Запуск прототипов знаменует важный этап для японской полупроводниковой индустрии, которая стремится вернуть лидерство в высокотехнологичном сегменте производства чипов и стать серьезным конкурентом мировым гигантам, таким как TSMC и Samsung. Завод IIM-1 расположен в городе Читосе на острове Хоккайдо. Его строительство началось в сентябре 2023 года, а уже в 2024 году была завершена чистая комната, соответствующая строгим нормам современного микропроизводства. В декабре того же года на предприятие была установлена установка для литографии с экстремальным ультрафиолетовым излучением (EUV), а первичная экспозиция EUV состоялась в апреле 2025 года.
В настоящее время на фабрике функционирует более 200 видов оборудования, обеспечивающих выпуск прототипов 2-нм GAA транзисторов. Технология Gate All Around представляет собой следующий фронтир в миниатюризации транзисторов. В отличие от традиционных FinFET, GAA обеспечивает обтекание канала вокруг затвора с четырех сторон, что значительно повышает контроль над током и снижает утечки. Это приводит к увеличению энергоэффективности и производительности микросхем, необходимых для современных вычислительных задач — от серверов до мобильных устройств и искусственного интеллекта. Один из важных вызовов, стоящих перед Rapidus при строительстве завода в Японии, — находиться в сейсмоактивной зоне.
Учитывая частые землетрясения в стране, особое внимание уделялось надежности конструкции здания. В проекте применены стальные демпферы и скользящие опоры, которые позволяют сооружению выдерживать значительные сейсмические нагрузки без ущерба для оборудования и безопасности персонала. Это уникальное инженерное решение, которое обычно сложно увидеть и оценить широкой публикой, сыграло ключевую роль в обеспечении устойчивости объекта. Rapidus нацелена начать поставки для продвинутых клиентов примерно через три квартала с момента объявления и перейти к объемному производству в 2027 году. Если сделать прогноз, то этот шаг может внести заметный вклад в диверсификацию глобальной цепочки поставок полупроводников и усилить технологическую независимость Японии.
Проект IIM-1 является частью национальной инициативы по возрождению передовой микроэлектроники в стране и снижению зависимости от зарубежных поставщиков. Быстрый прогресс в освоении 2-нм GAA технологии свидетельствует о серьезной технической компетенции Rapidus, а также о высоком уровне сотрудничества с японскими и международными партнерами. Помимо чисто технических достижений, выделяется также масштаб инфраструктурных инвестиций и организационных усилий. Например, необходимо отметить значительный объем аппаратной базы, в том числе и новейшие EUV-литографические машины, которые обеспечивают столь высокую точность и разрешение при формировании структур на кремниевой подложке. Установка и ввод в эксплуатацию такого оборудования — это сложный комплекс мероприятий, включающий тонкую отладку процессов, обеспечение требуемой чистоты среды и обучение персонала.
Для индустрии наподобие Rapidus крайне важно не только техническое оснащение, но еще и устойчивость производства к внешним факторам. Учитывая вызывающие глобальную обеспокоенность экономические и геополитические условия, японский завод стал примером скоординированных усилий в развитии локальной технологической базы, способной создавать и поддерживать передовые технические решения. Кроме того, технология Gate All Around открывает новые возможности для создания более компактных и энергоэффективных микрочипов. Снижение размеров транзисторов без утраты производительности крайне важно для развития таких областей как высокопроизводительные вычисления, облачные сервисы и искусственный интеллект. Rapidus, осваивая 2-нм техпроцесс, демонстрирует свое стремление быть в авангарде инноваций, что безусловно повысит интерес потенциальных заказчиков и партнеров к будущему продукционному выходу с их стороны.
В смысле конкурентоспособности, эта инициатива может оказать давление на мировых производителей, так как свежие игроки на рынке с собственными производственными мощностями расширяют технологические горизонты и способствуют развитию индустрии в глобальном масштабе. Долгосрочные перспективы для Rapidus зависят от успешной коммерциализации прототипов, вывода на массовое производство и налаживания качественных каналов сбыта. Высокая аналитическая и технологическая база, а также умение быстро адаптироваться к изменчивым условиям рынка, помогут компании успешно конкурировать даже с давними лидерами рынка. Таким образом, запуск прототипов 2-нм Gate All Around на заводе IIM-1 — это не только знаковое событие для Rapidus, но масштабный знак возрождения японского микроэлектронного производства. Они не только достигли значительного технологического прогресса, но и показали, как можно сочетать инновации с инженерными решениями, адаптированными к природным особенностям региона.
В ближайшие годы будет интересно наблюдать за развитием проекта, динамикой сотрудничества с индустриальными и научными партнерами, а также внедрением результатов в реальные коммерческие продукты. Такой подход способствует укреплению конкурентного статуса Японии в мировой технике и поддержанию её роли в глобальной цепочке высокотехнологичных поставок.
